SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品 旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。 SRM 2842 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 襯底上生長經(jīng)過認證的 Al 摩爾分數(shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

儲存和搬運：

AlGaAs是一種穩(wěn)定的化合物，但薄膜在儲存和搬運過程中會受到表面污染和氧化。SRM 2842 半導(dǎo)體薄膜：AlxGa1-xAs外延層標準品應(yīng)存放在無塵氮氣環(huán)境中或低于50°C的真空溫度下。在運輸?shù)椒治鱿到y(tǒng)或在分析系統(tǒng)中使用時，偶然暴露在空氣中不會產(chǎn)生嚴重污染，直到這種暴露超過數(shù)千小時。SRM應(yīng)由金屬安裝盤用干凈的非金屬鑷子處理，不得接觸半導(dǎo)體區(qū)域。半導(dǎo)體表面的顆粒污染物可以用去離子水或干燥的氮氣流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染物。用于將半導(dǎo)體安裝到不銹鋼盤上的膠帶可溶于異丙醇、丙酮和其他有機溶劑，使用這些溶劑可能會導(dǎo)致粘合劑或膠帶顆粒遷移到試樣表面。試樣表面的極端邊緣應(yīng)排除在分析之外。

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